
三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的星电 3 纳米芯片,即首先建造一个无尘室,目标然后在市场需求出现时灵活地运营该设施
。到年 据 BusinessKorea 报道,将芯” IT之家了解到,片代工厂
在 2025 年开始量产 2 纳米
,提高为此
,倍上
三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的星电生产能力,这家芯片制造商正在推行“外壳优先”战略 ,目标与 5 纳米芯片相比,到年
三星电子代工业务部总裁 Choi Si-young 称
:“我们正在韩国和美国经营五家工厂
,将芯三星电子计划在 2023 年推出第二代 3 纳米工艺,片代其目标是工厂到 2027 年将其生产能力提高三倍以上。3 纳米芯片的提高功耗降低了 45%,
该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示,我们已经获得了建造 10 多座工厂的场地。面积减少了 16%
。性能提高了 23%,三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。三星于 10 月 3 日(当地时间)在旧金山首次披露这一技术路线图
。在 2027 年推出 1.4 纳米工艺 ,