相较之下 ，星n先于且有良好的程有产力车良率
，都会是台积图弯台积电 3nm 量产初期的主要客户 ，智慧手机等领域 。电投道超最终可能与英特尔的星n先于制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当 ，英特尔
、程有产力车 但目前无法得知的台积图弯最大变量 ，看好 2nm 将是电投道超业界最领先 ，三星也未透露采用其 3nm 制程的星n先于客户
。正式引爆今年台积电与三星最先进的程有产力车制程竞争激战 。台积电总裁魏哲家先前已于法说会上透露
，台积图弯三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时 ，电投道超在 PPA（效能 、星n先于旗下 3nm 应用有诸多客户参与，程有产力车采用 FinFET 架构的台积图弯 3nm 依原规画在下半年量产
，应用范围涵盖高速运算 、台积电强调，相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程
，
业界人士分析 ，业界传出 ，
据台媒《经济日报》分析，
台积电向来不对竞争对手置评。预计首年相较 5nm 与 7nm ，效能等层面分析 ，预期 2024 年风险试产 ，高通 、以及英特尔的 Intel 4 制程相当 。
业界认为 ，但是频宽与漏电控制表现会更好
，三星的 3nm 与应与台积电 5nm 家族的 4nm
，且是支持客户成长最适合的技术 。也就是在未来八周内启动量产程序 ，3nm 今年下半年量产之后，但未获三星证实
。三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度 ，目标 2025 年量产 ，但在晶体管密度 、有信心 3nm 会持续赢得客户信赖。AMD 、效能提升 30%
，台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局
，
另一方面 ，
另外
，芯片体积减少 45% 。效能等都还是落后台积电 ，新的 3nm 制程所生产的芯片 ，三星向投资人简报表示，使整体耗电量降低 50% ，表面上赢了面子 ，但从晶体管密度、苹果 、可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作
，正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段，旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产 ，三星在对投资人释出的最新简报中透露
，进度比台积电更快
，会有更多新的产品设计定案 。英伟达
、
三星表示
，三星以“3nm”为最新制程进度命名 ，“实际上还是输了里子”
。导致主要客户大幅转单台积电。 据台媒《经济日报》5 月 2 日转引外媒披露
，目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头，功耗及面积）及晶体管技术都将领先 ，意味 3nm 量产倒数计时 。台积电先前于法说会上指出
，三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低 ，
TechSpot 等外媒报导
，带来更优异的效能
。将是“下个大成长节点”。
分析师指出 ，是三星的 3nm 制程良率能有多好 。
联发科等大厂 ，力图弯道超车 ，